科技迅速發(fā)展的今日，3D閃存領(lǐng)域也是日新月異?？v觀該領(lǐng)域的發(fā)展，三星可謂獨(dú)占鰲頭，接連推出的兩代立體堆疊閃存分別有24層、32層，并成功應(yīng)用與多款固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品，如850 Pro等。為了打破日本東芝的搶先壟斷地位，三星日前直接推出了可應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）中的48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存芯片，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。拋開(kāi)售價(jià)，三星第三代3D閃存從質(zhì)量上看，比東芝產(chǎn)品來(lái)說(shuō)要“良心”。優(yōu)勢(shì)表現(xiàn)在MLC顆粒以及量產(chǎn)能力上，其量產(chǎn)效率還提升了40%。
三星量產(chǎn)第三代3D閃存 效率提升40%
3D閃存領(lǐng)域一直是三星產(chǎn)品占盡先機(jī)，這次雖然時(shí)間上推后，但無(wú)論是質(zhì)量還是量產(chǎn)都成為了眾人矚目的焦點(diǎn)。與第二代相比，第三代的優(yōu)勢(shì)在于：TB級(jí)別，翻倍提升SSD存儲(chǔ)容量。在單芯片存儲(chǔ)量上提高到32GB。與傳統(tǒng)的NAND相比，質(zhì)量有顯著提升。
一個(gè)手指尖大小的芯片，就能夠存儲(chǔ)256GB數(shù)據(jù)。這就是三星第三代所達(dá)成的效果。根據(jù)第三代生產(chǎn)數(shù)據(jù)所得，新一代V-NAND閃存中，每個(gè)單元都采用相同的3D Charge Trap Flash（簡(jiǎn)稱CTF）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，每片芯片存儲(chǔ)單元陣列垂直堆疊48層，利用其特殊的蝕刻技術(shù)，通過(guò)18億個(gè)通道孔在陣列上實(shí)現(xiàn)電子互連。每個(gè)芯片共包含853億個(gè)單元。單個(gè)存儲(chǔ)單元為3bit，一共能存儲(chǔ)2,560億位的數(shù)據(jù)。與32層3bit MLC 128Gb V-NAND閃存相比，當(dāng)存儲(chǔ)相同容量的數(shù)據(jù)時(shí)，一個(gè)48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存功耗能減少30% 。
